Термоелектрична добротність напівпровідникових надґраток
Ключові слова:
надґратки, мінізона провідності, час релаксації, термоЕРС, фононна теплопровідність, термоелектрична добротністьАнотація
В квазікласичному одномінізонному наближені досліджена термоелектрична добротність напівпровідникових надґраток. Врахована зміна часу релаксації носіїв струму 2D структурах в порівнянні з їх 3D аналогами при розсіюванні носіїв струму на акустичних фононах, точкових дефектах і неполярних оптичних фононах при довільній статистиці. Встановлена аналітична залежність добротності від коефіцієнта термоелектричної якості матеріалу та ширини мінізони провідності в напрямку осі надгратки. Показано, що добротність напівпровідникових надґраток збільшується із збільшенням цих параметрів. Бібл. 14, рис. 4
Посилання
Anatychuk L.I. (1979). Termoelementy i termoelektricheskiie ustroistva [Thermoelements and thermoelectric devices]. Kyiv: Naukova Dumka [in Russian].
Bulat L.P., Zakordonets V.S. (1995). Predelnaiia termoelektricheskaiia dobrotnost’ poluprovodnikovykh kristallicheskikh materialov [Maximum thermoelectric figure of merit of semiconductor crystalline materials]. Semiconductors, 29(10), 1743 – 1749 [in Russian].
Zakordonets V.S., Logvinov G.N. (1997). Termoelektricheskaiia dobrotnost monopoliarnykh poluprovodnikov ogranichennykh razmerov [Thermoelectric figure of merit of limited-size monopolar semiconductors]. Semiconductors, 31(3), 324 – 325.
Venkatasubramanian R., Colpitts T., Watko E., Lamvik M., El-Masry N. (1997). MOCVD of Bi2Te3, Sb2Te3 and their superlattice structures for thin-film thermoelectric applications. Journal of Crystal Growth, 1–4:170721–817.
Ezzahri Y., Zeng G., Fukutani K., Bian Z., Shakouri A. (2008).Comparison of thin film microrefrigerators based on Si/SiGe superlattice and bulk SiGe. J. Microelectronics, 39, 981–991.
Venkatasubramanian R., Siivola E., Colpitts T., O'Quinn B. (2001).Thin-film thermoelectric devices with high room-temperature figures of merit. Nature, 431, 597–602.
Ivanova L.D., Granatkina Yu.V., Malchev A.G., Nikhezina I.Yu., Emel’yanov M.V. (2019).
Materials based on solid solutions of bismuth and antimony tellurides formed by rapid melt crystallization methods. Semiconductors, 53(5),652–656.
Baranskiy P.I., Gaydar S.P. (2007). On the way from myths to realities in mastering high-performance thermoelectric converters based on the achievements of nanophysics and nanotechnologies. J.Thermoelectricity, 2,46–53.
Pshenai-Severin D.A., Ravich Yu.I. (2002). Calculation of mobility and thermoelectric figure of merit of multi-layer structures with quantum wells. Semiconductors, 36(8).
Zakordonets V.S. (2021).ThermoEMF in semiconductor superlattices at scattering of current carriers by phonons and point defects. J.Thermoelectricity,1, 23–31.
Askerov B.M., Giliiev B.I., Figarova S.R., Gadirova I.R. (1997). TermoEDS v kvazidvumernykh sistemakh pri rasseianii nositelei toka na fononakh [ThermoEMF in quasi-two-dimensional system at scattering of current carriers by phonons]. Semiconductors, 39 (10), 1857.
Askerov B.M. (1985). Elektronnyie iavleniia perenosa v poluprovodnikakh [Electronic effects of transport in semiconductors]. Moscow: Nauka [in Russian].
Zakordonets V., Stephansky V., Chainyk M. (1999). The influence of electron-phonon drag on thermoelectric figure of merit of limited-sized semiconductors. J.Thermoelectricity, 2,56–61.
Zakordonets V., Stephansky V. (1998). Temperature fields and thermoEMF in semiconductors of limited dimensions under the electron-phonon drag. J.Thermoelectricity, 2,33–38.
