ТермоЕРС в напівпровідникових надгратках при розсіюванні носіїв струму на фононах і точкових дефектах
Ключові слова:
коефіцієнт термоЕРС, добротність надгратки, термоЕРСАнотація
В квазікласичному одномінізонному наближені досліджена термоЕРС напівпровідникових надграток (НГ) у випадку довільної статистики та при розсіюванні носіїв струму на акустичних фононах, точкових дефектах і неполярних оптичних фононах з урахуванням зміни часу релаксації в порівнянні з об’ємними матеріалами. Встановлена аналітична залежність термоЕРС від приведеної ширини зони провідності в напрямку осі надгратки. Показано, що термоЕРС надгратки збільшується із збільшенням ширини мінізони провідності, асимптотично наближаючись до граничного значення при β ≥ 10.
In the quasi-classical one-miniband approximation, the thermopower of semiconductor superlattices (SL) is investigated in the case of arbitrary statistics and at scattering of charge carriers by acoustic phonons, point defects, and nonpolar optical phonons, taking into account the change in the relaxation time as compared to bulk materials. An analytical dependence of the thermopower on the reduced width of the conduction band in the direction of the superlattice axis is established. It is shown that the thermopower of the superlattice increases with an increase in the width of the conduction miniband, asymptotically approaching the limiting value at β ≥ 10. Bibl. 17, Fig. 3.
Посилання
L.I. Anatychuk (1979). Termoelementy i termoelektricheskiie ustroistva. Spravochnik. [Thermoelements and thermoelectric devices. Handbook]. Kyiv: Naukova dumka [in Russian].
Bulat L.P., Zakordonets V.S. (1995). Semiconductors, 29 (10), 1743.
Hicks L.D., Dresselhaus M.S. (1993). Phys. Rev. B47, 12727.
Hicks L.D., Dresselhaus M.S. (1993). Phys. Rev. B47, 16631.
Hicks L.D., Harman T.C., Sun X., Dresselhaus M.S. (1996). Phys. Rev. B53, 10493.
Shick A.Ya. (1973). Semiconductors, 7(2), 261.
Askerov B.M., Gashimzade N.M., Panakhov M.M. (1987). Semiconductors 29(3),818.
Bulygin A.S., Shmelyov G.M., Maglevannyi I.I. (1999). Semiconductors 41(7), 1314.
Askerov B.M., Guliev B.I., Figarova S.R., Gadirova I.R. (1997). Semiconductors, 39(10), 1857.
Grahn H.T., von Klitzing K., Ploog K., Dőhler G.H. (1991). Phys. Rev. B 43, 14, 12095.
Fletcher R., Coleridge P.T., Feng Y. (1995). Phys. Rev. B 52, 4, 2823.
Bulayevskii L.N.(1975). Uspekhi fizicheskikh nauk – Advances in Physical Sciences, 116 (3), 449
[in Russian].
Tavger B.A., Demikhovskii V.Ya. (1968). Uspekhi fizicheskikh nauk – Advances in Physical Sciences, 96(1), 61[in Russian].
Silin A.P. (1985). Uspekhi fizicheskikh nauk – Advances in Physical Sciences, 147(3), 485 [in Russian].
Pshenai-Severin D.A., Ravich Yu.I. (2002). Semiconductors, 36(8), 974.
Askerov B.M. (1985). Elektronnyie yavleniia perenosa v poluprovodnikakh [Electronic transport phenomena in semiconductors]. Мoscow: Nauka [in Russian].
Bass F.G., Bochkov V.S., Gurevich Yu.G. (1984). Elektrony i phonony v ogranichennykh poluprovodnikakh [Electrons and phonons in confined semiconductors]. Moscow: Nauka [in Russian].
