Методи вимірювання контактних опорів структур «метал – термоелектричний матеріал» (частина 1)
Ключові слова:
електричний контактний опір, вимірювання, точність, термоелектричні перетворювачі енергіїАнотація
Наведено огляд існуючих методів вимірювання електричного контактного опору. Проведено аналіз їх точності, переваг та недоліків, а також можливостей використання у термоелектриці для дослідження та оптимізації структур «метал – термоелектричний матеріал». Бібл. 11, рис. 14.
Посилання
1. Cox R.H., Strack H. (1969). Sol. St. Electron., 12, 89.
2. Heime K., Konig U., Kohn E., Wortmann A. (1974). Sol. St. Electron., 17, 835.
3. Berger H.H. J. (1972). Electrochem. Soc., 119, 507.
4. Gutai L., Mojres T. Appl.Phys. Lett. (1975). 26, 325.
5. Misra P., Nagaraju J. (2004). Test facility for simultaneous measurement of electrical and thermal contact resistance. Rev. Sci. Instr., Aug.2004, doi 10.1063/1.1775316
6. Maheshappa N.D., Nagaraju J., Krishna Murthy N.V. (1998). A facility for electrical resistance contact measurement. Rev. Sci. Instr., Mar.1998, doi 10.1063/1.1148810
7. Deepak, Krishna H. (2007). Measurement of small specific contact resistance of metals with resistive semiconductors. J. El. Mat., 36 (5), 598 – 605, doi 10.1007/s11664-007-0091-y
8. Maheshappa H.D., Nagaraju J., Krishna Murthy M.V. (1998). A facility for electrical resistance contact measurement. Rev. Sci. Instr., Mar. doi 10.1063/1.1148810
9. Holgate T.C., Han L., Wu NY, Bojesen E.D., Cristensen M., Iversen Bo.B., Nong N.V., Pryds N. Characterization of the interface between Fe-Cr alloy and the p-type thermoelectric oxide Ca3Co4O9.
10. Schroder D.K. (2006). Semiconductor material and device characterization. IEEE press. A John Wiley & Sons, Inc. Publication.
11. Gupta R.P., McCarty R., Sharp J. (2013). Practical contact resistance measurement method for bulk Bi2Te3 based thermoelectric devices. J. El. Mat.
12. Cox R.H., Strack H. (1969). Sol. St. Electron., 12, 89.
13. Heime K., Konig U., Kohn E., Wortmann A. (1974). Sol. St. Electron., 17, 835.
14. Berger H.H. J. (1972). Electrochem. Soc., 119, 507.
15. Gutai L., Mojres T. Appl.Phys. Lett. (1975). 26, 325.
16. Misra P., Nagaraju J. (2004). Test facility for simultaneous measurement of electrical and thermal contact resistance. Rev. Sci. Instr., Aug.2004, doi 10.1063/1.1775316
17. Maheshappa N.D., Nagaraju J., Krishna Murthy N.V. (1998). A facility for electrical resistance contact measurement. Rev. Sci. Instr., Mar.1998, doi 10.1063/1.1148810
18. Deepak, Krishna H. (2007). Measurement of small specific contact resistance of metals with resistive semiconductors. J. El. Mat., 36 (5), 598 – 605, doi 10.1007/s11664-007-0091-y
19. Maheshappa H.D., Nagaraju J., Krishna Murthy M.V. (1998). A facility for electrical resistance contact measurement. Rev. Sci. Instr., Mar. doi 10.1063/1.1148810
20. Holgate T.C., Han L., Wu NY, Bojesen E.D., Cristensen M., Iversen Bo.B., Nong N.V., Pryds N. Characterization of the interface between Fe-Cr alloy and the p-type thermoelectric oxide Ca3Co4O9.
21. Schroder D.K. (2006). Semiconductor material and device characterization. IEEE press. A John Wiley & Sons, Inc. Publication.
22. Gupta R.P., McCarty R., Sharp J. (2013). Practical contact resistance measurement method for bulk Bi2Te3 based thermoelectric devices. J. El. Mat.
